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英伟达下一代GPU采用台积电5nm工艺

时间:2021-12-01     来源:系统堂     游览量:

  三星近期启动了大规模产能扩张和技术研发计划,意在在晶圆制造领域追赶台积电。三星此前曾宣布,未来十年将投资1515亿美元建设晶圆厂,目标是到2026年将现有产能提高两倍,同时计划量产3nm GAA工艺2022年上半年,2023年量产第二代3nm工艺。此外,三星还加紧了芯片的开发工作,在Exynos系列SoC中引入了AMD的图形技术。近期,它还致力于研发适用于新一代汽车的汽车芯片,收购相关公司的消息也不断传出。

英伟达下一代GPU采用台积电5nm工艺

  近日,业内有消息称,三星希望在其先进制程计划中引入高通和AMD。AMD与台积电有着深厚的合作关系。7nm工艺节点的成功让AMD走上了发展的快车道。作为更强大的竞争对手,面对三星咄咄逼人的攻势,台积电肯定不会等死。既然三星可以争夺AMD,台积电也可以争夺英伟达的GPU订单。

  据DigiTimes报道,英伟达将采用台积电的 5nm 工艺制造下一代 Hopper 架构 H100 GPU 和Ada Lovelace 架构的GeForce RTX 40 系列 GPU。H100 GPU 是英伟达面向数据中心和人工智能计算的产品,采用 CoWoS 高级封装。由于上一代A100也采用了台积电,所以继续采用同代工厂也就不足为奇了。GeForce RTX 40系列GPU是面向普通消费者的新一代游戏显卡。它仍然保留了传统的设计。不会像AMD基于RDNA 3架构的Navi 31那样采用MCM多芯片封装,全面转向台积电对未来产能分配的影响更大。

  虽然三星和英伟达在GeForce RTX 30系列上有很好的合作。尤其是三星为英伟达的这笔大订单提供了非常优惠的价格。但其8nm工艺在性能、产能、良率等方面都不尽如人意,导致GPU供应出现问题。台积电可能不会给英伟达好的价格,但在半导体工艺上应该有更好的保证。

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