三星开始出货业界首个基于第三代10nm级(1z)EUV的16Gb LPDDR5 DRAM。

　　继DRAM 之后，新的平泽2号线将生产下一代V-NAND和代工解决方案

　　全球先进存储器技术的领导者三星电子今天宣布其在韩国平泽市的第二条生产线已开始使用极紫外(EUV)技术批量生产该行业的首款16吉比特(Gb)LPDDR5移动DRAM。新型16Gb LPDDR5以三星第三代10nm级(1z)工艺为基础，具有最高的移动内存性能和最大的容量，使更多的消费者能够在下一代智能手机中享受5G和AI功能的全部好处。

　　三星电子DRAM产品与技术执行副总裁Jung-bae Lee说：“基于1z的16Gb LPDDR5将整个行业提升到一个新的门槛，克服了高级节点上DRAM扩展的主要发展障碍。” “随着我们引领整个内存市场的增长，我们将继续扩大我们的高级DRAM产品阵容，并超过客户的需求。”

　　扩大平泽

　　工厂的生产能力占地面积超过128,900平方米(超过130万平方英尺)，相当于约16个足球场，三星的平泽2号线是迄今为止规模最大的半导体生产线。

　　新的平泽生产线将成为业界最先进的半导体技术的关键制造中心，提供最先进的DRAM和下一代V-NAND和代工解决方案，同时巩固公司在工业4.0时代的领导地位。

　　最快，最大容量的移动内存

　　基于当今最先进的(1z)工艺节点，三星的新型16Gb LPDDR5是首款使用EUV技术批量生产的内存，可提供移动DRAM中最快的速度和最大的容量。

　　新的LPDDR5每秒6400兆位(Mb / s)，比当今大多数旗舰移动设备中的12Gb LPDDR5(5,500Mb / s)快约16%。制成16GB封装后，LPDDR5可以在一秒钟内传输约10个5GB大小的全高清电影或51.2GB的数据。

　　由于采用了首个商业化的1z工艺，LPDDR5封装的厚度比其前代产品薄了30%，从而使5G和多相机智能手机以及可折叠设备能够将更多功能整合到纤薄的设计中。16Gb LPDDR5可以仅用八个芯片构建一个16GB封装，而其基于1y的前身则需要12个芯片(八个12Gb芯片和四个8Gb芯片)来提供相同的容量。

　　通过为全球智能手机制造商提供首个基于1z的16GB LPDDR5封装，三星计划在2021年进一步加强其在旗舰移动设备市场的地位。三星还将把LPDDR5产品的用途扩展到汽车应用中，从而提供更大的温度范围。以满足极端环境中严格的安全性和可靠性标准。