目前DDR5刚刚与英特尔第12代酷睿Alder Lake一起上市，但三星已经表示他们已经在开发下一代DDR6内存。在一年一度的技术日活动上，三星透露了DDR6、GDDR6+、GDDR7和HBM3等下一代内存技术的信息。

　　Computerbase从三星那里获得了有关新一代内存的各种信息。目前DDR5还处于生命周期的初期，频率一般不会很高，但随着时间的推移频率会慢慢上升。三星认为，近期DDR5的频率会提升到6400Mbps的JEDEC标准，超频条的频率可以达到8400Mbps。事实上，一些厂商已经将DDR5内存的频率提高到了7000Mbps。

　　下一代DDR6已经处于早期开发阶段，未来将用于替代DDR5。当然，预计至少在 2025 年到 2026 年推出。DDR4 内存至少会使用 6 年，DDR5 到 DDR6 估计大约在同一时间。

　　三星认为，未来DDR6内存的JEDEC标准将达到12800Mbps，超频条的频率可能达到17000Mbps，甚至可能超过20000Mbps。目前DDR6标准还在讨论中，预计2024年完成。 与现在的DDR5相比，DDR6内存每个模块的通道数再次翻倍，变为16bit*4，bank数量增加最多 64 个。

　　显存方面，三星透露了更快的GDDR6+计划，以取代现有的GDDR6。三星计划本月开始试产1znm的GDDR6+。其频率可达24Gbps，将成为下一代GPU配置。如果能达到这个频率，320/352/384bit显存位宽的显卡显存带宽可以超过1TB/s，256bit GPU的带宽可以达到768GB/s。

　　至于新一代GDDR7内存，预计最高可提供32Gbps传输速度，并支持实时错误保护技术，但三星并未详细说明。至于HBM3内存，三星计划在2022年第二季度开始量产，并表示速度将达到800GB/s，将用于未来的HPC和数据中心GPU/CPU系统。