三星最近宣布推出世界上第一个基于 MRAM(磁阻随机存取存储器)的内存计算。相关论文也由Nature在线发表。这篇题为“用于内存计算的磁阻存储器件的交叉阵列”的论文展示了三星在内存技术方面的领先地位，以及它在将内存和半导体系统合并到下一代人工智能 (AI) 芯片方面所做的工作。

　　该研究由三星高级技术研究院 (SAIT) 与三星电子代工业务和半导体研发中心密切合作领导。该团队由 SAIT 研究员 Seungchul Jung 博士和共同通讯作者、SAIT 研究员、哈佛大学教授 Donhee Ham 博士和 SAIT 技术副总裁 Sang Joon Kim 博士领导。

　　在现代标准计算机体系结构中，数据存储在内存芯片中，数据计算在处理器中执行。相比之下，内存计算是一种新的计算方式，旨在在内存网络中执行数据存储和数据计算。由于该方案可以处理大量存储在内存中的数据而无需数据传输，并且内存中的数据处理将以高度并行的方式进行，因此功耗将大大降低。因此，内存计算已成为实现下一代低功耗人工智能半导体芯片最有前景的技术之一。

　　三星研究人员通过架构创新提供了一种解决方案，成功开发了一种 MRAM 阵列芯片，该芯片“展示了内存计算，通过用新的‘电阻和’内存计算取代标准的‘电流和’内存计算架构架构，它解决了单个 MRAM 设备的小电阻问题。”

　　三星认为，MRAM 芯片未来也可以作为下载生物神经元网络的平台，因为其计算架构更类似于大脑神经元网络。