上月底，SK海力士宣布成功开发HBM3 DRAM内存，并将成品带到OCP峰会展示。HBM3的该试样通过拍摄ServeTheHome.

　　实际上，JEDEC 负责 HBM3 规范，最终规范尚未公布。SK海力士的HBM3内存可以提供两种容量，一种是12层TSV技术垂直堆叠的24GB，另一种是8层堆叠的16GB。展示样张为12层，显存频率可达6400Mbps，单栈提供的带宽可达819GB/s，远高于上一代HBM2E显存的461GB/s。

　　与 HBM2E 相比，HBM3 不仅提供更高的带宽，而且还堆叠了更多层的 DRAM 以增加容量。HBM3内存还内置了片上纠错技术，显着提高了产品的可靠性。

　　HBM 短期内不太可能在消费市场取代传统 DRAM 内存，因为其价格太贵，但在高性能计算领域仍有很大的发展空间。预计HBM3将主要应用于高性能数据中心和机器学习平台，提升人工智能水平和超级计算机性能，可用于气候变化分析和药物研发。