SK海力士宣布表示已开始量产目前全球最高性能DRAM HBM3，将巩固其在高端DRAM市场的领先地位。与传统DRAM相比，HBM在数据处理速度和性能方面更具竞争力，有望被更多产品采用。

　　英伟达最近完成了对 SK 海力士 HBM3 样品的性能评估，预计将在今年第三季度交付给英伟达系统。根据英伟达的时间表，SK海力士在今年上半年增加了HBM3的产量。NVIDIA将HBM3应用到H100上，H100是目前最强大的加速计算器，有望提升其加速计算性能。

　　英伟达从 SK Hynix 购买了带宽为 819 GB/s 的 HBM3，这与今年早些时候 JEDEC 发布的 HBM3 高带宽内存标准是一致的。根据过去的信息，SK海力士目前提供两种能力。一种是24GB(196Gb)垂直堆叠采用12层硅通孔技术，另一种是16GB(128Gb)采用8层堆叠，均提供819GB/s的带宽，24GB的芯片高度( 196Gb) 垂直堆叠只有 30 微米。与上一代HBM2E的460GB/s带宽相比，HBM3的带宽提升了78%。此外，HBM3内存还内置了片上纠错技术，提高了产品的可靠性。

　　SK海力士一直非常活跃于HBM的研发。早在去年 6 月，它就展示了第一款 HBM3，它提供了 665 GB/s 的带宽。随后在去年10月，SK海力士宣布成功研发HBM3内存，成为全球首家研发新一代HBM内存的公司。在今年早些时候的 ISSCC 2022 上，SK 海力士还展示了带宽为 896 GB/s 的 HBM3。