SK海力士今天宣布成功开发HBM3 DRAM内存，是全球第一家开发新一代HBM内存的公司。这是HBM系列内存的第四代(HBM2E也算一代)。新的 HBM3 不仅提供了更高的带宽，而且还堆叠了更多层的 DRAM 以增加容量。

　　SK海力士去年7月才开始量产HBM2E内存，现在已经推出了HBM3。研发进度还是比较快的，可以进一步巩固其在市场上的领先地位。SK海力士的HBM3可以提供两种容量，一种是24GB采用12层TSV技术垂直堆叠，另一种是16GB采用8层堆叠。

　　性能方面，SK海力士的HBM3可以提供819GB/s的带宽，相比上一代HBM2E提升了460GB/s，带宽提升了78%。NVIDIA的A100计算卡目前使用6个HBM2E作为显存，可以提供2TB/s的带宽。切换到HBM3后，带宽最高可达4.9TB/s，显存最大可达144GB。

　　与HBM2E相比，HBM3内存还内置了片上纠错技术，显着提高了产品的可靠性。预计HBM3将主要应用于高性能数据中心和机械学习平台，提升人工智能水平和超级计算机性能，可用于气候变化分析和药物研发。