自7nm工艺节点以来，三星在工艺研发和生产上一直不顺。近两年，5nm和4nm工艺生产的芯片在性能和良率上都出现了较大的问题。虽然三星已经高调制定了2021年半导体扩产计划，确认3nm工艺节点将引入新的GAAFET全环绕栅晶体管，并计划在2022年上半年量产第一代3nm工艺，似乎遇到了更大的困难。

　　据DigiTimes报道一份详述三星 3nm GAA 工艺和 GAA 技术的报告显示，3nm 工艺也有难度，良率徘徊在 10% 到 20% 之间，远低于预期。目前，三星在4nm工艺的生产上一直在苦苦挣扎。虽然已经拿到了骁龙8 Gen 1的订单，但是良品率只有35%左右。这也解释了为什么高通即使价格上涨，也打算将骁龙 8 Gen 1 Plus 的订单转移给台积电。如果三星在 3nm 工艺上的生产是真的，将很难拿下订单，很可能会失去高通、英伟达等大客户。

　　消息人士称，三星将首先在自家芯片生产中使用3nm工艺，这很可能是Exynos系列的新品。三星移动业务总裁 TM Roh在内部会议上表示，将为 Galaxy 系列设备开发定制 SoC，目前尚不清楚是否相关。

　　台积电计划在 N3 工艺节点仍使用 FinFET 晶体管，直到 N2 工艺节点才引入 GAA 技术，预计 2025 年底进入量产。目前没有消息称台积电因切换到 GAA 技术。总的来说，台积电在芯片生产质量上要优于三星。