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三星开始量产全球首个 3nm GAA 工艺

时间:2022-07-12     来源:系统堂     游览量:

  三星宣布其在韩国的华城工厂已开始生产 3nm 芯片。这是目前半导体制造工艺中最先进的技术,三星也成为全球唯一一家使用下一代新型GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术提供3nm工艺代工服务的代工企业。

三星开始量产全球首个 3nm GAA 工艺

  三星的 3nm GAA 工艺最初针对高性能计算 (HPC) SoC,稍后将扩展到移动 SoC。三星表示,与原来使用 FinFET 的 5nm 工艺相比,第一代 3nm GAA 工艺节点在功率、性能和面积(PPA)方面有各种改进,面积减少 16%,性能提升 23%,并且功耗降低 45%。第二代3nm芯片,面积缩小35%,性能提升30%,功耗降低50%。

  “随着我们在将下一代技术应用于制造业(例如代工行业的第一个高 K 金属栅极、FinFET 以及 EUV)方面继续展示领先地位,三星发展迅速。三星电子总裁兼代工业务负责人 Siyoung Choi 博士表示,我们寻求通过世界上第一个采用 MBCFET ™的 3nm 工艺来继续保持这种领先地位。“我们将继续在具有竞争力的技术开发方面进行积极创新,并建立有助于加速实现技术成熟的流程。”

  自 2021 年第三季度以来,三星电子通过与包括 Ansys、Cadence、Siemens 和 Synopsys 在内的三星先进代工生态系统 (SAFE) 合作伙伴的密切合作,提供成熟的设计基础设施,帮助客户在更短的时间内完善产品。时间。

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