IBM和发展伙伴三星宣布他们已经开发出一种程序，一种非易失性RAM，高达100000倍的速度比NAND闪存和永远不会消逝的制造。两家公司合作开发下一代的磁阻RAM（MRAM）使用自旋转移力矩（STT）技术，这将为物联网传感器导致低容量的存储芯片，可穿戴设备和移动设备，目前使用的NAND Flash存储数据。
IBM和三星发表论文在杂志上ScienceDirect概述如何缩小到11纳米的STT MRAM首次采用10纳秒脉冲和7.5微安的“重大成就”。平均NAND闪存作为一微秒写数据相比，MRAM的10纳秒--含义MRAM是100000倍的速度比NAND闪存快10000倍的速度在写和读，说丹尼尔沃利奇，IBM研究MRAM开发的高级经理，在一封电子邮件中回复计算机世界“这很重要，因为它现在落在甜区相比其他内存技术，这使得它可行的制造水平，“这不可能做到面内磁化装置-他们只是不规模，“沃利奇说，指的是硬盘和NAND闪存。”虽然还需要做更多的研究，这将给行业需要前进的信心。自旋扭矩MRAM的时间就是现在。”
自旋扭矩MRAM可以用于一个新的超低功耗的应用工作记忆型。例如，它可以应用在物联网或移动设备，它使用非常低的功率就和存储信息，当它不是积极的使用，它采用零功率因为不挥发。沃利奇说他不相信IBM的STT MRAM将取代DRAM的很快，但是他说，它可以很容易地更换嵌入式闪存，因为MRAM更容易嵌入，速度更快，具有无限的读和写。
一个自旋扭矩MRAM阵列的每个单元包含一个晶体管和一个隧道结。隧道结是由一个固定磁铁的北极总是指向，和一个免费的磁铁的北极点上或下，当存储一个“0”或“1”。“如果你看看闪存，这是你用你的数码相机，它只能写10000次才穿了。对于拍照很好，但是如果你使用它作为一个工作记忆，它会穿了不到一秒，“沃利奇说。
MRAM不会磨损因为自旋扭矩技术用一个小电流到一点从一零切换到一一，反之亦然。数据存储为一个磁状态与一个电子的电荷，提供一种非易失性存储器位不受磨损或NAND Flash技术相关的数据保留的问题。
与NAND闪存，自旋扭矩MRAM技术的晶体管不需要先擦除之前被重写新数据，这也大大简化了芯片设计和减少开销。
IBM与合作伙伴，计划优化MRAM的工程参数批量生产，在短短的三年。IBM有磁性材料及器件的专业知识，并在MRAM的电路设计，这将加速路径为其合作伙伴的产品，如三星。

IBM一直在发展了20年的MRAM芯片。最新发展之前，公司不会削减技术足以使芯片制造经济可行。

进入一个新的博客IBM表示，“MRAM是一种理想的技术总是在设备，如物联网传感器、移动设备和可穿戴电子产品，因为它提供了更多的存储和更长的电池寿命。此外，由于MRAM使用标准的晶体管，和紧凑性和鲁棒性，很容易嵌入芯片的逻辑和其他函数一样，相比于闪存。因此，许多半导体厂正在考虑嵌入式MRAM STT在28nm的大小及以下更换嵌入式闪存。”
用电子显微镜拍摄的MRAM和11nm结。隧道结是由一个固定磁铁的北极总是指向，和一个免费的磁铁的北极点上或下，当存储一个“0”或“1”。
在商业发展的各个阶段，新的记忆技术，有望取代NAND闪存作为一种非易失性存储介质的数据仍然意味着即使电源关闭。
顶尖的候选人正在开发中的忆阻器，或电阻随机存取存储器（ReRAM）、相变存储器（PCM），铁电随机存取存储器（FeRAM），随机存储器。从新记忆清单，“一个合理的市场份额，他们是相当商业化的市场只有FeRAM和MRAM的帐户，”根据一个报告由MarketsandMarkets。
IBM不单单是MRAM开发。
2011、海力士半导体和东芝等公司形成MRAM发展伙伴关系。同年，三星收购了巨公司，米尔皮塔斯，加利福尼亚，STT MRAM技术制造商。当时，然而，该技术批量生产太贵。随着芯片小型化和流程更加规范化，改变了。
在四月，半导体制造商EverSpin的的技术公布这是业界最密集的MRAM芯片样品的运输，可代替标准DRAM写缓存操作。芯片，高达1的产能是千兆，MRAM公司第三代旨在取代持久的DRAM在服务器和存储阵列。
在本质上，EverSpin的MRAM可以作为一个存储阵列或服务器存储第一层，保护数据没有存储在大容量存储设备，如闪存或硬盘。EverSpin的MRAM采用40nm和28nm尺寸晶体管与IBM新11nm细胞相比。
EverSpin的的256Mb的ST-MRAM芯片。高速度的最大市场之一，更低的功耗和更持久的非易失性存储器MRAM是像物联网物联网包括车辆、建筑物和里面的传感器，这是由计算机网络通信功能。例如，智能温控系统使用Wi-Fi网络的远程监控和检测当人们在某些房间和相应调整温度以节省电力。
就物联网的市场预计将从1兆9000亿美元增长到7兆1000亿美元，在2020年2013，据行业研究公司IDC由于物联网系统通常采用电池或是不断监测和沟通，他们消耗的功率仍然很低很重要。
IBM和三星的MRAM的耗电量；能够写一点数据只有7.5微安，这使得IBM使用非常小的晶体管，使一个非常密集的芯片。其写错误率也非常低。每十亿（千兆）写的，还有不到一个错误，沃利奇说。此前，只有MRAM可能实现如低错误率是使用100nm工艺技术，生产的沃利奇说，比IBM的晶体管大十倍。“MRAM可以缩小到很小的尺寸。基本构建块磁隧道结可以小到11纳米大小，“沃利奇说。”这意味着我们可以做非常密集的、快速的MRAM晶片在未来可作为IBM服务器的高速缓存。”十一纳米是10000倍小于人类头发的直径。沃利奇说他不能评论在MRAM产品会进入市场。”IBM的作用是做研究和开发，导致新产品，我们的合作伙伴将制造的。