在最近举行的 2021 年 IEEE 国际电子设备会议 (IEDM) 上，英特尔概述了未来技术发展方向，介绍封装、晶体管、量子物理等关键技术。英特尔表示，当前在全新功率器件和内存技术方面的重大突破，以及这些源自物理新概念的新技术，未来很可能会重新定义计算。

　　首先，英特尔会在未来的产品中提供更多的晶体管，为此，它会专注于核心的小型化技术。通过采用混合键合互连中的设计、工艺和组装问题的解决方案，英特尔希望将封装中的互连密度提高 10 倍以上。为了让生态系统从先进封装中受益，英特尔呼吁建立新的行业标准和测试程序，使混合键合小芯片生态系统成为可能。

　　Intel 期待其 GAA RibbonFET(Gate-All-Around RibbonFET)技术，通过堆叠多个(CMOS)晶体管，逻辑缩放比例提升高达 30% 至 50%，每平方毫米可以容纳更多晶体管。未来，它将克服传统硅通道的局限性，使用厚度只有几个原子的新材料来制造晶体管，以增加每个芯片上的晶体管数量，实现更强大的计算性能。

　　其次，英特尔为芯片注入了新功能。首次在300mm晶圆上集成GaN基功率器件和硅基CMOS，实现了更高效的电源技术。它为CPU提供低损耗和高速的电力传输创造了条件，同时也减少了主板组件和空间。

　　英特尔还打算使用新的铁电材料作为下一代嵌入式 DRAM 技术的可行解决方案。新技术可以提供更大的内存资源和低延迟的读写能力，以解决当前从游戏到人工智能计算等应用所面临的负责任问题。

　　最后，英特尔正在努力提高硅基半导体的量子计算性能。通过开发能够在室温下进行高效率和低功耗计算的新器件，逐步取代传统的MOSFET晶体管。在本次大会上，英特尔展示了全球首款常温磁电自旋轨道(MESO)逻辑器件。未来有可能制造基于纳米级磁体器件的新型晶体管。

　　目前，英特尔在自旋电子材料的研究方面取得了进展，使器件集成研究接近于实现自旋电子器件的全面实用化。英特尔还展示了用于实现与 CMOS 制造兼容的可扩展量子计算的完整 300 毫米量子位工艺流程，并确定了未来研究的下一步。

　　英特尔高级研究员兼组件研究部总经理 Robert Chau 表示：

　　“在英特尔，推进摩尔定律所需的研究和创新从未停止。我们的组件研究小组将在 IEDM 2021 上分享关键研究突破，带来革命性的工艺和封装技术，以满足我们行业和社会对强大计算的永不满足的需求。这是我们最优秀的科学家和工程师不懈努力的结果。为了延续摩尔定律，他们继续走在创新的前沿。”