在近日召开的2021 IEEE 国际电子器件 会议(IEDM)上，英特尔介绍了封装、晶体管、量子物理等关键技术，并概述了其未来的技术发展方向。IBM 和三星携手推出下一代半导体芯片技术：垂直传输场效应晶体管 (VTFET)。这项突破性的新技术允许晶体管垂直堆叠，与按比例缩放的 FinFET 相比，可以将性能提高一倍或将能耗降低 85%。

　　一般情况下，晶体管以水平方式构建，电流从一侧横向引导到另一侧。通过场效应晶体管的垂直传输，实现晶体管的垂直构造和分层，让电流在晶体管中上下流动，摆脱以往水平布局和电流引导的限制。技术人员放宽了晶体管栅极长度、间距厚度和触点尺寸的物理限制，以解决缩放障碍并优化性能和功耗。采用VTFET技术，不仅可以缩小芯片面积，还可以提高能效，提供更强的性能。

　　借助 VTFET 技术，IBM 和三星已经表明，在 CMOS 半导体设计中，可以探索超越纳米的缩放性能。VTFET技术解决了许多性能障碍和限制，扩展了摩尔定律，让芯片设计者可以在同一空间内放置更多的晶体管，实现更大的飞跃。在今年宣布量产全球首款2nm工艺节点芯片后，IBM再一次展示了其在半导体领域的实力。

　　IBM和三星在过去的一段时间里有着密切的合作。由于晶圆厂于2014年卖给了GlobalFoundries，IBM不再拥有自己的晶圆厂，因此芯片的量产交给了三星。IBM 计划今年在其 Power Systems 服务器中使用其首款商用 7nm 工艺处理器 IBM Power 10，支持 PCIe Gen5 和 DDR5 内存，将由三星制造。