此前，美光公布了其 NAND 闪存计划，称将推出业界首款232 层 3D TLC NAND 闪存，并准备在 2022 年底开始生产闪存芯片，该芯片将用于包括固态驱动器。近日，另一家大型存储公司西部数据也公布了自己的NAND闪存计划。

　　据TechPowerup报道，西部数据正在与铠侠合作，双方联合开发的第六代162层BiCS NAND将于今年量产。目前其他厂商已经进阶到176层，但是西部数据的162层BiCS NAND可以提供同样的容量。西部数据表示，其闪存芯片的尺寸比竞争对手小，这一优势意味着每个晶圆可以制造更多芯片。

　　据西部数据称，第六代 BiCS NAND 可提供每片 100TB 的容量，从 2020 年的 70TB 增加。西部数据和铠侠计划到 2024 年将称为 BiCS+ 的堆叠层数增加到 200 层以上，并且到2032年将出现500层堆叠的NAND闪存。BiCS+ NAND闪存的首次使用将用于数据中心产品，与目前的第六代162层BiCS Flash相比，传输速度将提升60%，每片晶圆的产能也将增加55%。

　　事实上，早在去年年初，西部数据就与铠侠宣布合作开发第六代162层BiCS Flash。据铠侠当时称，与第五代技术相比，第六代技术的水平单元阵列密度提高了10%。结合162层堆叠垂直存储器，芯片尺寸较112层堆叠技术可缩小40%。采用阵列CMOS电路布局和四路同时操作，性能较上一代提升近2.4倍，读取延迟提升10%。I/O 性能也提高了 66%。