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台积电推出 N3 制程采用的 FINFLEX 技术

时间:2022-06-27     来源:系统堂     游览量:

  现实生活中,一系列产品设计都是妥协的结果,芯片界也不例外,需要在性能、功耗和成本之间取得平衡。对于芯片设计者来说,需要根据自己的定位选择合适的半导体工艺技术。

  台积电在其 2022 技术论坛上介绍了用于 N3 工艺节点的 FINFLEX 技术,扩展了工艺的性能、功耗和密度范围,这使得芯片设计人员可以使用同一套设计工具为每个同一芯片上的关键功能块。

台积电推出 N3 制程采用的 FINFLEX 技术

  N3 流程节点中使用的 FINFLEX 技术包括以下功能和选项:

  •3-2 FIN – 最快的时钟频率和最高的性能满足最苛刻的计算需求

  •2-2 FIN – Efficient Performance,性能、电源效率和密度之间的良好平衡

  •2-1 FIN – 超功率效率、最低功耗、最低泄漏和最高密度

  台积电表示,近年来的趋势是使用具有混合架构的处理器,其中高性能内核与节能内核配对,并辅以各种功能模块。借助 FINFLEX 技术,设计人员可以为同一芯片上的这些功能块选择最佳工艺配置,在不影响其他块的情况下优化每个块。

  无论是PPA(功率、性能、面积),还是上市时间和量产,加上从一开始就考虑实现基于FINFLEX技术的定制配置,台积电相信其N3制程节点将在制程上处于领先地位技术,为任何产品提供最广泛和最灵活的设计范围。此外,台积电与 EDA 合作伙伴密切合作,使客户能够通过使用相同的工具集在其产品中充分利用 FINFLEX 技术。

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